产品名称：英飞凌半桥 IGBT模块

英飞凌XHP™ 2 1700 V、2000 A 半桥 IGBT 模块，具有改进的 IGBT8 和 EC8 芯片组、高功率密度和改进的热管理，可提高效率。

FF2000R17T2P8模块详细参数：

IC(nom) / IF(nom) 2000 A
IC 2000 A
VCE(sat) (Tvj=25°C typ) 1.65 V
VCES / VRRM 1700 V
VF (Tvj=25°C typ) 1.95 V

FF2000R17T2P8模块封装
XHP™ 2
尺寸 (length)
140 mm
尺寸 (width)
99.8 mm
技术
IGBT8 - P8
*高 电压等级
1700 V
认证标准
Industrial
配置
half-bridge

FF2000R17T2P8特性
对称模块设计
低封装寄生电感
铜基板
IGBT 8 的低栅极电荷 QG，可改善并联性能
EmCon 8 的增强软度性能，实现干净开关
高性能陶瓷，可改善热循环性能并实现*高性能
Tvj = 175 °C 下的连续工作温度

产品优势
高功率密度
高效率
提高热性能
低开关和导通损耗

应用
Battery energy storage (BESS) 
工业电机驱动和控制 
轨交 
Wind power 
光伏