技术文章
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中车IGBT模块：国产功率半导体核心器件深度解析 中车时代电气自主研发的IGBT模块实现650V-6500V全电压覆盖，打破国外垄断，支撑轨道交通、新能源与电网国产化替代进程。一、核心电压等级与选型指南电压等级典型应用场景技术优势750V新能源车400V平台/OBC/充电...发布时间：2025-12-27 10:08 点击次数：42 次
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IGBT：人形机器人动力系统的核心支柱 在人形机器人技术飞速发展的当下，动力系统的性能直接决定了机器人的运行效率、运动精度与稳定性。而绝缘栅双极型晶体管（IGBT）作为一种兼具MOSFET高输入阻抗和GTR低导通压降优势的功率半导体器件，已然成为人形机...发布时间：2025-01-18 09:00 点击次数：39 次
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中国中车CRRC功率半导体器件 功率半导体器件·IGBT芯片及模块功能亮点：产品覆盖650V-6500V全电压等级IGBT，具有高电流密度、低开关损耗、高短路功能、低导通压降、软关断特性、裕量大等特点，可满足智能电网、轨道交通、新能源汽车、新能源发电、工...发布时间：2024-12-08 08:38 点击次数：37 次
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英飞凌IGBT模块命名规则 要想搭建一个优良的电力电子系统，正确的功率器件选型首当其冲。然而很多新入行的同学恐怕会对IGBT冗长的料号看不懂，但实际上功率器件的命名都是有规律可循的。几个字母和数字，便能反映比如电压/电流等级、拓扑、封装等等丰富的信息...发布时间：2024-06-15 22:02 点击次数：922 次
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英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2 英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技术在确保质量和可靠性...发布时间：2024-04-09 20:40 点击次数：726 次
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英飞凌全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5kVXHP?3IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输应用...发布时间：2023-12-26 20:57 点击次数：765 次
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英飞凌推出CoolSiC产品组合，实现高效率和功率密度 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H...发布时间：2023-11-30 16:30 点击次数：718 次
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英飞凌推出第七代分立式650V H7新品 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX：IFNNY）推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP?IGBT产品阵容。全新器件配备**的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合...发布时间：2023-10-11 21:20 点击次数：674 次
