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简单介绍：

针对具体应用的不同需求，英飞凌开发了完善的分立式IGBT系列产品。较强的针对性使器件能在特定应用中处于*佳工作状态，有利于提高品质标准。英飞凌提供业界专业性*强的分立式IGBT器件，帮您实现*理想的应用性能。

详情介绍：

英飞凌的 IGBT 产品系列包括多款不同器件。这些产品广泛应用于汽车、牵引、能源传输、工业和消费系统领域。我们的解决方案在正向和阻断状态下功耗非常低，仅需低驱动功率便可发挥高效率。这些 IGBT 产品可承受高达 6.5 kV 的电压，并可在 2 kHz 至 50 kHz 的开关频率下工作。

借助广泛的技术组合优势，面向工业和功率控制应用的 IGBT ,具有出色的电流承载能力和更高的脉冲负载能力，功耗极低。

IGQ100N120S7采用TO247PLUS-3引脚封装的1200 V、100 A IGBT7 S7，带有反并联二极管

IGQ100N120S7指标参数

Parametrics IGQ100N120S7

Eoff 8.84 mJ

Eon 10.1 mJ

IC (@ 25°)   max 188 A

IC (@ 100°)   max 126 A

ICpuls   max 300 A

Ptot   max 826 W

Package TO-247-3-PLUS

QGate 610 nC

Qrr 15300 nC

Switching Frequency   min  max 2 kHz   20 kHz

Technology TRENCHSTOP™ IGBT7

VCE(sat) 2 V

VCE   max 1200 V

VGE(th) 5.7 V

td(off) 270 ns

td(on) 39 ns

tf 230 ns

tr 29 ns

硬开关1200 V、100 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7分立式器件采用TO-247封装，内置EC7 二极管。它具有低饱和压降（VCEsat），可在目标应用中实现超低的导通损耗，与其共同封装的超快速、软恢复发射极控制二极管有助于大限度地减少开关损耗，从而整体降低总损耗。

特征描述

非常低的饱和压降（Vcesat）

可控性佳

全额定电流续流二极管，特性软

对恶劣条件和HV-H3TRB的耐受性

短路时间：8 µs

参数分布离散性小

高工作结温（Tj）：175 °C

优势

IGBT损耗较低，系统效率高，输出功率也更高

功率密度更高，无需重新设计散热器

可轻松快速地替换前代T2产品系列

在恶劣的工作条件下，也具有高可靠性

易于设计，可满足EMI要求

应用领域

不间断电源（UPS）

电机控制和驱动

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产品名称：英飞凌/IGBT单管（IGQ100N120S7）