富士电机开发了IGBT模块作为电动机的可变速驱动装置或不间断电源装置等的电力转换器的开关元件。IGBT是同时具有功率MOSFET的高速开关性能和双极型晶体管的高电压和大电流处理能力的半导体元件。
特长
实现了封装小型化和输出功率的提高！
- 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
- Tj max175°C、150°C时可保证连续运行
环境友好型模块
- 高装配性，支持无焊装配
- 支持RoHS（部分除外）
开关特性
- 改善噪音-损耗平衡
- 通过降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振动
富士PIM模块
为了降低变频骆的成本，并减少变频器的尺寸。寓士电机和欧派克采用PIM模块结构。包括三相全波整流和6—7个IGBT。即变频器的主回路全部安装在一个模块上，在小功率变频器内（11KW以下）均用PIM模块较为合算。
集成整流桥 IGBT-PIM
EconoPIM™ 含整流桥7合1 IGBT模块-PIM
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产品型号 |
参数说明 |
封装形式 |
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7MBR25UA120
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1200V,25A/Tc=25℃,饱合压降2.1
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M711
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7MBR35UA120
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1200V,35A/Tc=25℃,饱合压降1.95
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M711
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7MBR35UB120
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1200V,35A/Tc=25℃,饱合压降2.0
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7MBR50UA120
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1200V,50A/Tc=25℃,饱合压降1.90
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M711
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7MBR50UB120
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1200V,50A/Tc=80℃,饱合压降2.0
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M712
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7MBR75UB120
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1200V,75A/Tc=25℃,饱合压降1.80
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M712
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7MBR100UB120
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1200V,100A/Tc=25℃,饱合压降1.90
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M712
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*1含整流桥7合1 1200V IGBT模块-PIM
*2含整流桥7合1 600V IGBT模块-PIM
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产品型号 |
参数说明 |
封装形式 |
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7MBR10SA120 |
1200V,100A/Tc=80℃,饱合压降2.6 |
M711 |
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7MBR15SA120 |
1200V,10A/Tc=80℃,饱合压降2.6 |
M711 |
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7MBR25SA120 |
1200V,25A/Tc=80℃,饱合压降2.6 |
M711 |
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7MBR35SB120 |
1200V,35A/Tc=80℃,饱合压降2.7 |
M712 |
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7MBR50SB120 |
1200V,50A/Tc=80℃,饱合压降2.7 |
M712 |
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产品型号 |
参数说明 |
封装形式 |
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7MBR30SA060 |
600V,30A/Tc=80℃,饱合压降2.4 |
M711 |
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7MBR50SA060 |
600V,30A/Tc=80℃,饱合压降2.4 |
M711 |
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7MBR50SB060 |
600V,50A/Tc=80℃,饱合压降2.4 |
M712 |
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7MBR75SB060 |
600V,75A/Tc=80℃,饱合压降2.55 |
M712 |
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7MBR100SB060 |
600V,100A/Tc=80℃,饱合压降2.6 |
M712 |
