北京健科芯坤科技有限公司 主营:可控硅模块 三社可控硅模块 西门康可控硅模块 IXYS可控硅模块 英飞凌可控硅模块 三菱可控硅模块 英达可控硅模块 西班牙可控硅模块 法国可控硅模块 IGBT模块 英飞IGBT模块 富士IGBT模块 西门康IGBT模块 三菱IGBT模块
服务电话
010-82411844
所在位置:
联系方式CONTACT US
产品详情

富士IGBT模块 P系列

  • 如果您对该产品感兴趣的话,可以
  • 产品名称:富士IGBT模块 P系列
  • 产品型号:2MBI300P-140
  • 产品展商:FUJI
  • 产品文档:无相关文档
简单介绍

富士igbt模块 P系列IGBT模块用于各种变频器、逆变电焊、各类高频感应加热。富士IGBT模块 P系列具有高耐压的突出特点,特别适用于耐压要求较高的产品,并能有效的代替其他电压参数项较低的模块。

产品描述

富士电机开发了IGBT模块作为电动机的可变速驱动装置或不间断电源装置等的电力转换器的开关元件。IGBT是同时具有功率MOSFET的高速开关性能和双极型晶体管的高电压和大电流处理能力的半导体元件。


特长

实现了封装小型化和输出功率的提高!

  • 采用高性能、低功耗的第六代V系列IGBT、FWD
  • Tj max175°C、150°C时可保证连续运行

环境友好型模块

  • 高装配性,支持无焊装配
  • 支持RoHS(部分除外)

开关特性

  • 改善噪音-损耗平衡
  • 通过降低dv/dt、dic/dt抑制噪音和振动



富士igbt模块 P系列IGBT采用GPT工艺制造,比PT (Punch-Through)IGBT有更多的优越性,特别适用于变频器、交流伺服电机系统、UPS、电焊机电源等领域。
特性:
1.额定电流是 TC=80℃时的数值。
2.VCE(SAT)与温度成正比,易于并联。
3.开关损耗的温度系数比PT-IGBT小,当温度升高时,其开关损耗比PT-IGBT小。因此,P系列更适合高频应用。
4.1400V系列模块适合用于AC380~575V的功率变换设备。
5.P系列,尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作区,RBSOA(反偏安全工作区)和SCSOA(短路安全工作区)都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍,SCSOA可达额定电流的十倍。因此,吸收电路可大大简化,同时,短路承受能力大大提高。
6.低损耗、软开关、dv/dt只有普通模块的1/2,大大降低了EMI噪声。


                                                                        

                                                         

        富士IGBT模块 P系列

 “NPT”工艺,正温度系数,P系列1400V IGBT模块


型号

VCES
Volts

IC
TC=25oC/80oC
@cont.
Amps.

PC
@
Watts

VCEsat
IC
Tj=25oC
Typ.(V)

封装

2MBI50P-140

1,400

75/50

400

2.7

M232

2MBI75P-140

1,400

100/75

600

2.7

M232

2MBI100PC-140

1,400

150/100

780

2.7

M233

2MBI150PC-140

1,400

200/150

1,100

2.7

M233

2MBI200PB-140

1,400

300/200

1,500

2.7

M235

2MBI300P-140

1,400

500/300

2,500

2.7

M238

1MBI600PX-140

1,400

800/600

4,100

2.85

M138

1MBI600PX-120

1,200

800/600

4,100

2.85

M138


产品留言
标题
联系人
联系电话
内容
验证码
点击换一张
注:1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!
Copyright@ 2003-2018  北京健科芯坤科技有限公司版权所有      电话:010-82411844 010-82411417 传真:010-82411417 地址:北京市海淀区清河朱房路16号金上地506 邮编:100085
京ICP备13016389号-2

京公网安备 11010802025865号