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产品详情

英飞凌igbt

  • 如果您对该产品感兴趣的话,可以
  • 产品名称:英飞凌igbt
  • 产品型号:FZ1800R12KF4
  • 产品展商:Infineon
  • 产品文档:无相关文档
简单介绍

EUPEC/英飞凌igbt有高精芯片制造技术的优势,结合EUPEC在封装技术上的领先地位,生产出的IGBT模块具有较强的竞争力。英飞凌igbt可提供从电流6A到3600A;电压从600V、1700V、2500V、3300V到6500V全系列各种封装形式的IGBT模块

产品描述

英飞凌igbt 模块共有八个耐压等级供用户选择:
400 V          600V        650V       1200V      1700V      3300V    4500V     6500V  
其中每种耐压等级又有多种芯片类型供用户选择.可以按开关频率,从型号后缀进行区分。

英飞凌(Infineon),优派克(eupec)
 600V系列英飞凌igbt

1200V系列英飞凌igbt

1600V系列英飞凌igbt

1700V系列英飞凌igbt

3300V系列英飞凌igbt

6500V系列英飞凌igbt

DN2系列:频率范围10KHZ-20KHZ,饱和压降:2.5V-3.1V
DN2系列:频率范围4KHZ-8KHZ,饱和压降:2.1V-2.4V
KS4系列:频率范围15KHZ-30KHZ,饱和压降:3.2V-3.85V
KE3系列:频率范围4KHZ-10KHZ,饱和压降:1.7V-2.0V
KT3系列:频率范围8KHZ-15KHZ,饱和压降:1.7V-1.9V
EUPEC IGBT器件(含税价,IGBT型号中的电流值按TC=80℃时标称,后面电流值按TC=25℃时标称)
  1、两单元――1200V/1700V/3300V/6500V系列
  2、两单元――600V系列
  3、六单元(低饱和压降型)
  4、功率集成模块(三相桥+七单元+温度传感器
  5、一单元--1200V/1700V
  6、四单元 (H桥 30KHZ高频)
  英飞凌 IGBT单管 600V/1200V
  特点:
  ☆采用沟槽栅+电场终止层(Field stop)IGBT工艺技术
  ☆参数离散性小,便于批量生产使用
  ☆可靠性高,高温性能稳定,特性优异,具有蕞优的性能价格比
  ☆型号中电流按Tc=100℃时标称,有效使用电流大
  ☆600V IGBT单管蕞大工作结温可达Tjmax≤175℃
  ☆内置反并联软、快恢复(Emcon)高效二极管
  ☆正温被系数饱和压降易于并联
  五、英飞凌 快恢复二极管 600V/1200V
  特点:
  ☆Infineon专利技术生产(Emcon)快速软恢复二极管;反向恢复软度因子 S<4.4
  ☆低反向恢复电荷 Qrr<2900nc
  ☆低正向导通压降:VF=1.5V 且不随温度升高而升高,易于并联.
  ☆蕞高工作结温高达 Tj=175℃ 高温特性好

 

              6500V系列

产品型号

Ic(A)

Vce(sat)

ton

toff

Rth(j-c)

封装

Tc=80

Max(V)

(us)

(us)

K/W

FZ200R65KF2

200

5.9

0.75

5.5

0.033

IHV 73mm

FZ200R65KF1

200

5.9

0.75

5.5

0.033

IHV 73mm

FZ400R65KF2

400

5.9

0.75

5.5

0.017

IHV 130mm

FZ400R65KF1

400

5.9

0.75

5.5

0.017

IHV 130mm

FZ600R65KF2

600

5.9

0.75

5.5

0.011

IHV 190mm

FZ600R65KF1

600

5.9

0.75

5.5

0.011

IHV 190mm

FD200R65KF1-K

200

5.9

0.75

5.5

0.033

IHV 130mm

FD400R65KF1-K

400

5.9

0.75

5.5

0.017

IHV 190mm

DD200S65K1

200

-

-

-

0.063

IHV 130mm

DD400S65K1

400

-

-

-

0.032

IHV 130mm

DD600S65K1

600

-

-

-

0.021

IHV 130mm

 

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