中频炉可控硅经常烧毁损坏原因诊断及分析

   1 、中频炉逆变 可控硅 水冷套内断水或散热效果下降——更换水冷套。有时观察水冷套的出水量和压力是足够的，但经常由于水质问题，在水冷套的壁上附着一层水垢，由于水垢是一种导热性级差的物体，虽然有足够的水流量流过，但因为水垢的隔离是其散热效果大大降低。其判断方法是：将功率运行在较低于该过流值的功率下约十分钟，迅速停机，停机后迅速用手触摸可控硅元件的芯部，若感觉到烫手，则该故障是由此原因引起的。 
   2 、槽路连接导线有接触**和断线情况——检查槽路连接导线，根据实际情况酌情处理。当槽路连接导线有接触**或断线情况时，功率升到一定值后会产生打火现象，影响了设施的正常运作，从而导致设施保护动作。有时因打火时会在 可控硅 两端产生瞬时过电压，要是过压保护动作来不及，会烧坏可控硅元件。该现象经常会出现过电压、过电流同时动作。 
   3 、负载对地绝缘降低——负载回路的绝缘降低，引起负载对地间打火，干扰了脉冲的触发时间或在可控硅两端形成高压，烧坏可控硅元件。 
   4 、中频炉 可控硅 在反相关断时，承受反向电压的瞬时毛刺电压过高——在中频电源的主电路中，瞬时反相毛刺电压是靠阻容吸收来吸收的。要是吸收电路中电阻、电容开路均会使瞬时反相毛刺电压过高烧坏可控硅。在断电的情况下用万秀表测量吸收电阻阻值、吸收电容容量，判断是否阻容吸收回路出现故障。 
   5 、脉冲触发回路故障——在设施运行时要是突然丢失触发脉冲，将造成逆变开路，中频电源输出端产生高压，烧坏可控硅元件。这种故障一般是逆变脉冲形成、输出电路故障，可用示波器进行检查，也可能是逆变脉冲引线接触**，可用手摇晃导线接头，找出故障位置。 
   6 、设施在运行时负载开路——当设施正在大功率运行时，要是突然负载处于开路状态，将在输出端形成高压   烧坏 可控硅 元件。 
   7 、设施在运行时负载短路——当设施在大功率运行时，要是负载突然处于短路状态，将对可控硅有一个很大的短路电流冲击，若过电流保护动作不不及保护，将烧坏可控硅元件。 
   8 、保护系统故障（保护失灵）—— 可控硅 能否**，主要是告保护系统来保证的，要是保护系统出现故障，设施稍有一点运作不正常，将危机到可控硅**。所以，当可控硅烧坏时对保护系统的检查是必不可少的。 
   9 、可控硅冷却系统故障——可控硅在运作时发热量很大，需要对其冷却才能保证正常运作，一般可控硅的冷却有两种方式：一种是水冷，另一种是风冷。水冷的应用较为广泛，风冷一般只用于 100KW 以下的电源设施。通常采用水冷方式的中频设施均设有水压保护电路，但基本上都是总进水的保护，若某一路出现水堵，是无法保护的。 
   10 、电抗器故障——电抗器内部打火造成逆变侧的电流断续，也会在逆变输入侧产生高压烧坏可控硅。另外，要是在维修中更换了电抗器，而电抗器的电感量、铁芯面积小于要求值，会使电抗器在大电流运作时，因饱和失去限流作用烧坏 可控硅 。