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SEMIKRON赛米控IGBT模块的命名规则
日期：2024-04-26 08:29
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摘要：
举例： SKM100GB123D
SK
SK表示SEMIKRON的IGBT
M
表示应用技术或者模块结构：
M——表示采用MOS技术
D——表示七单元模块（即互相整流桥+1CBT斩波器）
100
表示集电极电流等级，条件Tcase =25℃时的Ic，单位为A
G
表示IGBT开关
B
表示线路的类型或者特点：
A——表示线路为单只开...
| 举例： SKM100GB123D | |
| SK | SK表示SEMIKRON的IGBT |
| M |
表示应用技术或者模块结构： M——表示采用MOS技术 D——表示七单元模块（即互相整流桥+1CBT斩波器） |
| 100 | 表示集电极电流等级，条件Tcase =25℃时的Ic，单位为A |
| G | 表示IGBT开关 |
| B |
表示线路的类型或者特点： A——表示线路为单只开关 AL——表示线路为斩披器模块（即IGBT+集电极端续流二极管） AR——表示线路为斩波器模块（即 1GBT+发射极端续流二极管） AH——表示线路为非对称H 桥 AX——表示线路为单只IGBT+集电极端串联二极管（反向阻断） AY——表示线路为单只IGBT+发射极端串联二极管（反向阻断） B——表示线路为两单元模块（半桥） BD——表示线路为两单元模块（半桥）+串联二极管（反向阻断） D——表示线路为六单元（三相桥） DL——表示线路为七单元（三相桥+AL斩波器） H——表示线路为单相全桥 M——表示线路为两只lGBT在集电极端相连 |
| 12 | 表示集电极与发射极间电压等级( VCE为型号中的数字×100，例如12× 100V= 1200V= VCE) |
| 3 |
表示IGBT的系列号： 0——表示第1代产品（1988 ~ 1991 年，集电极额定电流为Tcase =80℃时的值） 1、2——表示笫l代产品（1992~1996 年，集电极额定电流为Tcase =25℃时的值。600V产品为集电极I额定电流Tcase =80℃时的值 3——表示第2代产品（600V与1200v为高密度NPT型IGBT。1700V为第1代NPT型IGBT+ CAL二极管。600V产品为集电极额定电流为Tase=80℃时的值。1200V与1700V产品为集电极额定电流为Tcase=25℃时的值 4——表示高密度、低饱和压降NPT型IGBT( 1200V、I700V) 5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V) 6——表示沟道式NPT型IGBT |
| D |
表示为特点： D-表示快速恢复二极管 K——表示SEMIKRON五号外壳带螺栓端予 L——表示六单元外壳带焊接端子 S——表示集电极检测端子 I——表示加强的反向二极管（高功率输出） |
赛米控的IGBT的命名方法与规律2见表2。
| 举例： SK 100 G B 12 3× | |
| SK | SK 表示SEMIKRON的IGBT |
| 100 | 表示集电极电流等级，条件Tcase= 25℃时的Ic，单位为A。 |
| G |
表示应用技术或者模块结构： G——表示IGBT开关 M——表示MOSFET开关 |
| B |
表示线路的类型或者特点： A——表示线路为单只开荚 AL——表示线路为斩波器模块（即 IGBT+集电极端续流二极管） AR——表示线路为斩波器模块（即 IGBT+发射极端续流二极管） AH——表示线路为非对称H 桥 B——表示线路为两单元模块（半桥） BD——表示线路为两单元模块（半桥）+串联二极管（反向阻断） D——表示线路为六单元（三相桥） H——表示线路为单相全桥 |
| 12 | 表示集电极与发射极闯电压等级（VCE为绝号中的数字×100，例如1×100V =1200V= VCE.） |
| 3 |
表示IGBT的系列号： 2——表示PT型（仅600V产品） 3——表示高密度NPT型产品 4——表示高密度、低饱和压降 NPT型ICBT 5——表示高密度、高速NPT型IGBT |
| × | 特点（没有定义） |
