技术文章
-
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2 英飞凌科技股份公司推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的CoolSiC?MOSFET650V和1200VGeneration2技术在确保质量和可靠性...发布时间：2024-04-09 20:40 点击次数：20 次
-
英飞凌全新4.5 kV XHP™ 3 IGBT模块让驱动器实现尺寸小型化 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出了4.5kVXHP?3IGBT模块，旨在从根本上改变采用两电平和三电平拓扑结构且使用2000V至3300V交流电压的中压变频器（MVD）与交通运输应用...发布时间：2023-12-26 20:57 点击次数：12 次
-
英飞凌推出62 mm封装CoolSiC产品组合，实现高效率和功率密度 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H...发布时间：2023-11-30 16:30 点击次数：17 次
-
英飞凌推出第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX：IFNNY）推出分立式650VIGBT7H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP?IGBT产品阵容。全新器件配备**的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合...发布时间：2023-10-11 21:20 点击次数：18 次
-
英飞凌扩展1200 V 62 mm IGBT7 产品组合，推出全新电流额定值模块 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出搭载1200VTRENCHSTOP?IGBT7芯片的62mm半桥和共发射极模块产品组合。模块的*大电流规格高达800A，扩展了英飞凌采用成熟的62mm...发布时间：2023-08-08 21:20 点击次数：18 次
-
发布时间：2023-02-16 10:56 点击次数：487 次
-
英飞凌第7代IGBT7 英飞凌第7代IGBT7 亮点开发出的芯片由IGBT7和EC（发射极-控制）7二极管组成，能*好地满足变频通用驱动（GPD）的所有需求。具有优良的控制能力，在所有与应用有关的电流等级下具有足够的软度，静态损耗大幅降低，且抗短...发布时间：2022-12-15 11:24 点击次数：729 次
-
新洁能功率半导体命名规则介绍 新洁能致力于推广性能**、质量稳定并且**价格竞争力的全系列MOSFET产品。我们为电路设计师们提供**的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V，配合先进的封装技术，为您提供100mA至400A的电流选择范围。我们专注...发布时间：2022-12-14 18:09 点击次数：706 次
