覆盖650V-6500V全电压等级IGBT产品，具有高电流密度、低开关损耗、高短路功能、低导通压降、软关断特性、裕量大等特点。
中车CRRC igbt模块主要技术参数：
可满足智能电网、轨道交通、新能源汽车、新能源发电、工业控制等多个领域应用需求。
IGBT及FRD模块:
高压系列模块简介：
采用中车第4代DMOS*芯片和第5代TMOS芯片，具有低导通压降、软关断特性、正温度系数和易并联等特点。该系列产品涵盖3300V至6500V电压范围，封装和电路结构灵活多变，适用于各种并联应用场景。产品采用高热匹配的AISiC基板和AIN衬板材料封装而成，在热循环、功率循环、机械冲击等可靠性方面具有明显优势，可以满足频繁启动和长距离运行的工况需求。
产品参数：
集电级发射级电压 3300V-6500V
集电极电流 250A-1600A
结温℃ 125℃-150℃
应用：
已批量应用于电力机车、高速动车组、地铁等轨道交通领域和其他大功率变频器装置领域。
中低压系列模块中车CRRC igbt模块简介：
采用中车第7代超精细沟槽芯片，具有高电流密度、低开关损耗、高工作结温等特点。采用Cu 基板，选用高性能导热材料，具有散热性能好、高电流密度、高可靠性等特点。该系列产品涵盖电流 40A 至 3600A，电压 950V 至 1700V，具备定制化调整的能力，可根据客户需求调整 IGBT **工作裕量、耗损分配、过载能力等特性，适应各行业应用。
中车CRRC igbt模块产品参数：
集电级发射级电压 950V-1700V
集电极电流 40A-3600A
*高结温℃ 125℃-150℃
应用：
已批量应用于新能源风电、光伏、变频器、SVG、中频感应加热等领域
压接式系列模块简介：
采用中车第4代DMOS+、第5代TMOS芯片，具有低导通压降、低开关损耗、软关断特性等特点。该系列产品采用双面焊接和柔性压接技术，具有高压大容量、高可靠性、高过载能力等特点，可满足远距离、大容量的柔性直流输电工程的需求，满足复杂高压电磁环境适应性以及高可靠运行的要求。
产品参数：
集电级发射级电压 4500V-6500V
集电极电流 1500A-5000A
结温℃ 125℃-150℃
应用：
批量应用于柔性直流输电工程。
汽车系列模块简介：
采用中车第7.5代超精细沟槽芯片，具有高电流密度、低开关损耗、高工作结温等特点。采用直接水冷基板，选用高性能导热材料，该系列产品涵盖 400A 至 1200A 电流范围，单模块*大可满足 250kW 电机需求。具备低运行损耗特征，满足汽车的急速启停、陡坡爬升、高速运行、振动颠簸等工况。
产品参数：
集电级发射级电压 750V-1300V
集电极电流 400A-1200A
结温℃ 150℃-175℃
应用：
已批量应用于新能源电动汽车领域。
FRD系列模块简介：
采用中车第7代注入效率控制FRD，具有低导通损耗，软恢复特性，正温度系数，高工作结温等特点。该系列产品具备足够工作裕量和高可靠性，涵盖1200V至6500V电压范围。
产品参数：
正向峰值电压 2500V-6500V
正向平均电流 400A-1200A
结温℃ 125℃
应用：
轨道交通和工业领域。
