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主要特点
双通道驱动 支持两个独立 IGBT 单管或一个半桥式双单元 IGBT 模块，可工作于直接模式（独立驱动）或半桥模式（带内部死区生成）。 高压支持 适用于 1700 V 及以下 IGBT，部分型号可扩展至 3300 V 高压场景。 驱动能力 提供 ±15 V 驱动电压和 ±15 A 峰值输出电流，支持 200 A 至 800 A 的 IGBT 模块。 保护功能 可调 Vce 检测阈值，实现短路和过流保护； 内置电源欠压检测功能。 隔离与电源 驱动控制与功率部分电气隔离，隔离电压达 600 VAC； 集成隔离 DC/DC 电源，每通道提供 3 W 驱动功率2。 应用领域 工业设备：如逆变焊机、电力电子变换器等； 牵引系统：轨道交通、电动汽车等大功率驱动场景； 高压电源：3300 V 及以上高压 IGBT 的驱动保护。 优势 高可靠性：自 1999 年推出后成为行业标准，经过工业和牵引应用验证； 灵活性：死区时间可通过外接 RC 电路调整，适配不同拓扑需求；高频性能：支持 1 MHz 以上的工作频率，适合快速开关场景
2SD315AI-33 使用指南
一、基础配置与参数
电源要求
信号电源（VDD）：+15V ±10%，需连接至引脚1（VDD）与引脚11/12（GND）。
隔离电源输出：DC/DC隔离电源为驱动侧提供±15V（或0/+15V）门极电压，*大功率3W/通道，通过引脚13-17（VDC）和18-22（GND）供电。
驱动能力
单通道输出电流峰值±15A，适配200A-800A的IGBT模块，支持1700V/3300V高压应用26。
工作频率范围：*高可达1MHz（需优化布局以降低寄生参数影响）。
二、引脚功能与接线
关键引脚定义
控制信号输入：
InA/InB（引脚10/6）：接收PWM信号，支持独立双通道或半桥模式。
MOD（引脚8）：模式选择（高电平为直接模式，低电平为半桥模式）。
状态反馈：
SO1/SO2（引脚3/9）：输出通道状态（正常/故障），故障包括过流、短路或欠压。
保护功能配置：
C1/C2（引脚5/7）：外接RC网络设置死区时间（半桥模式），推荐电阻10-100kΩ，电容100pF-10nF。
VL/Reset（引脚4）：定义逻辑电平阈值或复位故障信号4。
接线注意事项
驱动信号线需尽量短（<10cm），采用双绞线或屏蔽线降低干扰。
门极电阻（Rg）建议1-10Ω，根据IGBT开关速度和损耗需求调整。
三、保护功能配置
Vce检测（短路/过流保护）
通过C1/C2引脚连接IGBT集电极，检测Vce压降，阈值可通过外部分压电阻调节（典型值6-10V）。
触发保护时，SO1/SO2输出低电平，并关断驱动脉冲36。
电源监控
内置欠压检测：当VDD或隔离电源电压低于阈值（通常±12V）时，强制封锁驱动输出。
四、典型应用模式
直接模式（独立双通道）
MOD引脚接高电平，InA/InB独立控制两路IGBT，适用于双管并联或独立拓扑（如逆变器）。
半桥模式（内置死区）
MOD引脚接地，通过RC1/RC2设置死区时间（典型0.5-5μs），避免上下管直通。
五、故障诊断与维护
常见故障处理
驱动无输出：检查VDD电源、隔离电源及复位信号（VL/Reset引脚）。
误触发保护：调整Vce检测阈值或检查IGBT负载状态。
环境适应性
工作温度：-40℃~+85℃，需避免冷凝（湿度敏感性等级MSL 3）。
六、兼容性与选型
适配IGBT型号：需匹配模块后缀（如-33对应3300V IGBT），参考Power Integrations官网兼容列表26。
替代方案：若需更高功率（>3W/通道），建议升级至SCALE-2系列驱动器
