赛米控丹佛斯IGBT模块实现大性能

赛米控丹佛斯提供SEMITRANS、SEMiX、SKiM、MiniSKiiP和SEMITOP封装形式的IGBT模块，支持不同的拓扑结构、额定电流和电压。这些IGBT模块的电流范围为4A至1400A，电压级别为600V至1800V。它们可用于各种应用，并采用多项关键技术，如烧结以及实现快捷装配的弹簧或press-fit连接。提供不同的拓扑结构，提供不同的拓扑结构，如CIB（整流-逆变-制动）、半桥、H桥、三相全桥和三电平等，涵盖几乎所有应用领域。结合新的IGBT芯片和CAL二极管技术。*新代IGBT7已正式应用于赛米控丹佛斯功率模块，其带来更高功率密度并确立了新的性能评价基准，特别是在电机驱动和太阳能应用中。

赛米控丹佛斯提供全碳化硅模块，采用SEMITOP和SEMITRANS封装。由于采用**供应商提供的SiC MOSFET，可实现高开关频率、小损耗和高效率。同时也提供了优异的功率密度。

开关频率的提高意味着无源滤波元件使用的大幅减少。同时，功率损耗也降低了，从而使散热器更小，总体上减少了冷却需求。这两个优势都会使整个系统成本大大降低。

全碳化硅功率模块涵盖20A至540A电流范围（1200V电压和1700V），提供带或不带反并联肖特基续流二极管的型号。其标准配置有三相全桥拓扑、半桥拓扑和带有旁路二极管的boost拓扑。

除了SiC MOSFET模块组合，赛米控丹佛斯还提供SEMIPACK和SEMITOP封装的单SiC肖特基二极管，以确保低损耗整流应用。

赛米控丹佛斯系统优势：

• 支持紧凑、轻量级的系统

• 由于低开关量，提高了系统效率

和 SiC 的传导损耗

• 降低热需求和系统成本

赛米控丹佛斯技术特点：

• 超低损耗、高频操作

• MOSFET 的零关断尾电流

• 常关、故障**设备操作

• 反并联肖特基二极管

• 与温度无关的开关行为

赛米控丹佛斯混合碳化硅功率模块型号：

IGBT和碳化硅肖特基二极管混合功率模块

SK20KDD12SCpSEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)

SK35MLLE120SCpSEMITOP 2 Press-Fit (28x40.5x12)

SKM260MB170SCH17SEMITRANS 3 (106x62x31)