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双向可控硅十大使用准则

日期:2019-08-25 15:51
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摘要: 导读: 由于构造较为简单仅需一个触发电路就能进行工作,双向可控硅能够作为较为理想的交流开关器件来使用,应用范围在近几年来有逐渐增大的趋势。   由于构造较为简单仅需一个触发电路就能进行工作,双向可控硅能够作为较为理想的交流开关器件来使用,应用范围在近几年来有逐渐增大的趋势。本文将对确保闸流管和双向可控硅顺利上乘工作的十个条件进行介绍,帮助大家完善设计。 准则1 为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT,直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足,并按...

导读: 由于构造较为简单仅需一个触发电路就能进行工作,双向可控硅能够作为较为理想的交流开关器件来使用,应用范围在近几年来有逐渐增大的趋势。


   由于构造较为简单仅需一个触发电路就能进行工作,双向可控硅能够作为较为理想的交流开关器件来使用,应用范围在近几年来有逐渐增大的趋势。本文将对确保闸流管和双向可控硅顺利上乘工作的十个条件进行介绍,帮助大家完善设计。

准则1

为了导通闸流管(或双向可控硅),必须有门极电流≧IGT,直至负载电流达到≧IL。这条件必须满足,并按可能遇到的*低温度考虑。

准则2

要断开(切换)闸流管(或双向可控硅),负载电流必须间,使能回复至截止状态。在可能的*高运行温度下必须满足上述条件。

准则3

设计双向可控硅触发电路时,只要有可能,就要避开3+象限(WT2-,+)。

准则4

为减少杂波吸收,门极连线长度降至*低。返回线直接连至MT1(或阴极)。若用硬线,用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1间加电阻1kΩ或更小。高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法,选用H系列低灵敏度双向可控硅。

规则5

若dVD/dt或dVCOM/dt可能引起问题,在MT1和MT2间加入RC缓冲电路。若高dICOM/dt可能引起问题,加入一几mH的电感和负载串联。另一种解决办法,采用Hi-Com双向可控硅。

准则6

假如双向可控硅的VDRM在严重的、异常的电源瞬间过程中有可能被超出,采用下列措施之一:

负载上串联电感量为几μH的不饱和电感,以限制dIT/dt;用MOV跨接于电源,并在电源侧增加滤波电路。

准则7

选用好的门极触发电路,避开3+象限工况,可以*大限度提高双向可控硅的dIT/dt承受能力。

准则8

若双向可控硅的dIT/dt有可能被超出,负载上*好串联一个几μH的无铁芯电感或负温度系数的热敏电阻。另一种解决办法:对电阻性负载采用零电压导通。

准则9

器件固定到散热器时,避免让双向可控硅受到应力。固定,然后焊接引线。不要把铆钉芯轴放在器件接口片一侧。

准则10

为了长期可靠工作,应保证Rthj-a足够低,维持Tj不高于Tjmax,其值相应于可能的*高环境温度。

本文罗列出了十条对于闸流管和双向可控硅工作非常有益的建议。大家在使用闸流管或者双向可控硅之前可以不妨花上几分钟来阅读本文,相信会有意想不到的收获,从而帮助大家全方位的了解双向可控硅并节约设计成本。

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