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可控硅主要参数

日期:2019-08-25 10:18
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摘要:
      可控硅又叫晶闸管,是晶体闸流管(Thyristor)的简称,俗称可控硅,指的是具有四层交错P、N层的半导体装置。*早出现的一种是硅控整流器(Silicon Controlled Rectifier,SCR),中国大陆通常简称可控硅,又称半导体控制整流器,是一种具有三个PN结的功率型半导体器件,为**代半导体电力电子器件的代表。晶闸管的特点是具有可控的单向导电,即与一般的二极管相比,可以对导通电流进行控制。晶闸管具有以小电流(电压)控制大电流(电压)作用,并体积小、轻、功耗低、效率高、开关迅速等优点,广泛用于无触点开关、可控整流、逆变、调光、调压、调速等方面。

可控硅主要参数;

电流

⒈ 额定通态电流(IT)即*大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。

耐压


⒉反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。

触发电流

⒊ 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。

额定正向平均电流

4,在规定环境温度和散热条件下,允许通过阴极和阳极的电流平均值

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