文章详情

IGBT使用注意事项

日期:2019-08-25 10:24
浏览次数:306
摘要: IGBT使用注意事项: 使用中IGBT的注意事项 由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。 由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿 是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:   在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子 时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导 电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽...

IGBT使用注意事项:

 

 

使用中IGBT的注意事项

由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。
由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿
是IGBT失效的常见原因之一。因此使用中要注意以下几点:

  在使用模块时,尽量不要用手触摸驱动端子部分,当必须要触摸模块端子
时,要先将人体或衣服上的静电用大电阻接地进行放电后,再触摸; 在用导
电材料连接模块驱动端子时,在配线未接好之前请先不要接上模块; 尽量在
底板良好接地的情况下操作。 在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超
过栅极*大额定电压,但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合
,也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此,通常采用双绞线来传送驱动信
号,以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。


  此外,在栅极—发射极间开路时,若在集电极与发射极间加上电压,则随
着集电极电位的变化,由于集电极有漏电流流过,栅极电位升高,集电极则有
电流流过。这时,如果集电极与发射极间存在高电压,则有可能使IGBT发热及
至损坏。

  在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路
状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅
极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

  在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态
和拧紧程度。为了减少接触热阻,*好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。
一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不佳时将导
致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散
热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止
IGBT模块工作。

 

保管时的注意事项

一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规
定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用
加湿机加湿; 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 在温度发生急剧
变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变
化较小的地方; 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 装IGBT模块
的容器,应选用不带静电的容器。

  IGBT模块由于具有多种优良的特性,使它得到了快速的发展和普及,已
应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能,了解选择及使用时的
注意事项对实际中的应用是十分必要的。

在中大功率的开关电源装置中,IGBT由于其控制驱动电路简单、工作频率较高
、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或GTO。但是在开关电源装置中,由于它
工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统
的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故IGB
T的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择IGBT时除了要作降额考虑外
,对IGBT的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。


 

 

京公网安备 11010802025865号