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SEMIKRON赛米控IGBT模块的命名规则

日期:2020-05-29 15:00
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摘要: 举例: SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示应用技术或者模块结构: M——表示采用MOS技术 D——表示七单元模块(即互相整流桥+1CBT斩波器) 100 表示集电极电流等级,条件Tcase =25℃时的Ic,单位为A G 表示IGBT开关 B 表示线路的类型或者特点: A——表示线路为单只开...
举例:                         SKM100GB123D
SK SK表示SEMIKRON的IGBT
 M 表示应用技术或者模块结构:
M——表示采用MOS技术
D——表示七单元模块(即互相整流桥+1CBT斩波器)
100 表示集电极电流等级,条件Tcase =25℃时的Ic,单位为A
G 表示IGBT开关
  B 表示线路的类型或者特点:
A——表示线路为单只开关
AL——表示线路为斩披器模块(即IGBT+集电极端续流二极管)
AR——表示线路为斩波器模块(即 1GBT+发射极端续流二极管)
AH——表示线路为非对称H 桥
AX——表示线路为单只IGBT+集电极端串联二极管(反向阻断)
AY——表示线路为单只IGBT+发射极端串联二极管(反向阻断)
B——表示线路为两单元模块(半桥)
BD——表示线路为两单元模块(半桥)+串联二极管(反向阻断)
D——表示线路为六单元(三相桥)
DL——表示线路为七单元(三相桥+AL斩波器)
H——表示线路为单相全桥
M——表示线路为两只lGBT在集电极端相连
12 表示集电极与发射极间电压等级( VCE为型号中的数字×100,例如12× 100V= 1200V= VCE)
3 表示IGBT的系列号:
0——表示第1代产品(1988 ~ 1991 年,集电极额定电流为Tcase =80℃时的值)
1、2——表示笫l代产品(1992~1996 年,集电极额定电流为Tcase =25℃时的值。600V产品为集电极I额定电流Tcase =80℃时的值
3——表示第2代产品(600V与1200v为高密度NPT型IGBT。1700V为第1代NPT型IGBT+ CAL二极管。600V产品为集电极额定电流为Tase=80℃时的值。1200V与1700V产品为集电极额定电流为Tcase=25℃时的值
4——表示高密度、低饱和压降NPT型IGBT( 1200V、I700V)
5——表示高密度、高速NPT型lGBT(600V、1200V)
6——表示沟道式NPT型IGBT
D 表示为特点:
D-表示快速恢复二极管
K——表示SEMIKRON五号外壳带螺栓端予
L——表示六单元外壳带焊接端子
S——表示集电极检测端子
I——表示加强的反向二极管(高功率输出)
赛米控的IGBT的命名方法与规律2见表2。
举例:          SK 100 G B 12 3×
SK SK 表示SEMIKRON的IGBT
100 表示集电极电流等级,条件Tcase= 25℃时的Ic,单位为A。
G 表示应用技术或者模块结构:
G——表示IGBT开关
M——表示MOSFET开关
B 表示线路的类型或者特点:
A——表示线路为单只开荚
AL——表示线路为斩波器模块(即 IGBT+集电极端续流二极管)
AR——表示线路为斩波器模块(即 IGBT+发射极端续流二极管)
AH——表示线路为非对称H 桥
B——表示线路为两单元模块(半桥)
BD——表示线路为两单元模块(半桥)+串联二极管(反向阻断)
D——表示线路为六单元(三相桥)
H——表示线路为单相全桥
12 表示集电极与发射极闯电压等级(VCE为绝号中的数字×100,例如1×100V =1200V= VCE.)
3 表示IGBT的系列号:
2——表示PT型(仅600V产品)
3——表示高密度NPT型产品
4——表示高密度、低饱和压降 NPT型ICBT
5——表示高密度、高速NPT型IGBT
× 特点(没有定义)
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