新闻详情

全新第八代12000V IGBT平台 IR****

日期:2019-08-25 15:27
浏览次数:436
摘要: 全球功率半导体和管理方案优越供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。   全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值,加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路额定值,能够减少功耗,有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。   IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显其数十年...

全球功率半导体和管理方案优越供应商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 推出新一代绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台适用于符合行业标准的TO-247封装,并采用IR新一代沟道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。

  全新的Gen8组件提供从8A到高达60A的电流额定值,加上1.7V典型VCE(ON) 和10μs短路额定值,能够减少功耗,有效增加功率密度并带来卓越的耐用性。

  IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IR通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台,彰显其数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达实现***变频,从而更有效地使用电能,并且绿化环境。”

全新第八代12000V IGBT平台 IR****

  新技术为电机驱动应用提供更理想的软关断功能,通过尽量降低dv/dt来减少电磁干扰和过压情况,有助于提升可靠性及耐用性。该平台的参数分布狭窄,在进行多个IGBT并联时便可带来出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热阻,还可达到175°C的*高结温。

  潘大伟指出:“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越的技术。该IGBT平台凭借顶尖的VCE(ON)、卓越的耐用性及上等的开关功能,使工业市场所面临的难题迎刃而解。”

 

京公网安备 11010802025865号