新闻详情

三菱电机开始提供“高频用混合SiC功率半导体模块”样品

日期:2019-08-25 15:03
浏览次数:473
摘要: 三菱电机开始提供“高频用混合SiC功率半导体模块”样品 2014-05-15 三菱电机株式会社 有助于实现电力电子装置的高效化、小型化和轻量化 “高频用混合SiC功率半导体模块”开始提供样品 三菱电机株式会社将于5月15日开始提供高频用混合SiC功率半导体样品,该功率半导体的二极管部分采用SiC※1的材料。通过采用碳化硅(SiC)技术,对于使用电力逆变器如不间断供电电源(UPS)、医疗器械专用电源、太阳能逆变器等电力电子装置而言,将更有助于其实现高效化、小型化和轻量化。 此外,高频用混合SiC功率半...

三菱电机开始提供“高频用混合SiC功率半导体模块”样品


2014-05-15
三菱电机株式会社

有助于实现电力电子装置的高效化、小型化和轻量化
“高频用混合SiC功率半导体模块”开始提供样品

三菱电机株式会社将于5月15日开始提供高频用混合SiC功率半导体样品,该功率半导体的二极管部分采用SiC※1的材料。通过采用碳化硅(SiC)技术,对于使用电力逆变器如不间断供电电源(UPS)、医疗器械专用电源、太阳能逆变器等电力电子装置而言,将更有助于其实现高效化、小型化和轻量化。

此外,高频用混合SiC功率半导体模块将在“PCIM※2 Europe2014展”(5月20〜22日于德国纽伦堡举行)上展出。

※1  SiliconCarbide:碳化硅
※2  PCIM:Power Conversion Intelligent Motion
CMH100DY-24NFH
CMH150DY-24NFH
CMH 200DU-24NFH
CMH300DU-24NFH
CMH 400DU-24NFH
CMH 600DU-24NFH
高频用混合SiC功率半导体模块
新产品的特点
1.损耗减少约40%,有助于实现装置的高效化、小型化和轻量化
・采用SiC-SBD※3用于二极管、高频开关Si-IGBT用于晶体管的混合型结构。
・SiC-SBD由于不会产生反向恢复电流,可使开关的损耗大幅降低,损耗降低约40%,因而有助于实现装置的高效化。
・由于损耗大幅减少,将有利于散热装置的进一步小型化、轻量化,而功率器件的高频化则有助于实现电抗器等配件的小型化和轻量化。
※3   SchottkyBarrierDiode:肖特基势垒二极管
2.内部寄生电感降低,可有效抑制浪涌电压
・采用适用高速开关的低电感封装。
・100A、150A产品与以往产品※4相比,内部寄生电感约降低30%。
※4   采用硅(Si) 的高频用IGBT模块“NFH系列”
3.与以往产品封装保持一致,方便用户替换
・确保了与以往产品※4的封装一致性,因而可以直接替换。
※4   采用硅(Si) 的高频用IGBT模块“NFH系列”
新产品的概要
产品名 型号 概要 样品出厂日期
高频用混合SiC
功率半导体模块
CMH100DY-24NFH 1200V/100A2in1 5月15日
CMH150DY-24NFH 1200V/150A2in1
CMH200DU-24NFH 1200V/200A2in1
CMH300DU-24NFH 1200V/300A2in1
CMH400DU-24NFH 1200V/400A2in1
CMH600DU-24NFH 1200V/600A2in1
提供样品的目的

近年来,从有效利用能源的观点出发,使用碳化硅(SiC)的功率半导体可以大幅降低功率损耗并可实现功率器件高速开关,因而用户对它的期盼日益迫切。此前,针对不间断供电电源装置(UPS)、医疗器械专用电源等需要进行高频开关操作的电力电子装置,本公司已经提供了开关特性*优化的功率半导体模块“NFH系列”。

现在,通过进一步的研制开发,三菱电机开始提供高频用混合型碳化硅(SiC)模块的样品,该模块作为“NFH系列”的新阵容,通过采用SiC-SBD,可以大幅降低功率损耗。

高频用混合SiC功率半导体模块使用“New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO)”开发技术的一部分。

主要规格
用途 型号 额定电压 额定电流 电路结构 封装尺寸
(W)×(D)
工业设备 CMH100DY-24NFH 1200V 100A 2in1 48×94mm
CMH150DY-24NFH 150A
CMH200DU-24NFH 200A 62×108mm
CMH300DU-24NFH 300A
CMH400DU-24NFH 400A 80×110mm
CMH600DU-24NFH 600A
环保考虑

京公网安备 11010802025865号