中国南车大功率IGBT产业化基地奠基

本报北京电 （记者杨建光 通讯员李敏）近日，中国南车集团大功率IGBT产业化基地奠基，标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。

        该项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只。这将使中国南车成为国内**掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业，填补了国内相关技术领域的空白。

        IGBT（新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管）是功率半导体器件第三次技术**的代表性产品，广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域，是节能技术和低碳经济的主要支撑，被业界誉为功率变流装置的 “CPU”、绿色经济的 “核芯”，市场发展前景光明。

        目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商。为支持我国企业技术突围，IGBT成为国家产业政策重点支持和扶持的重大科技项目。

        大功率IGBT产业化基地建设项目，由中国南车株洲电力机车研究所具体实施，项目总投资14亿元，占地160亩，预计2013年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过20亿元，其产业规模和技术实力均超过国内已有水平，达到国际**水平。

来源：人民铁道报