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中国南车大功率IGBT产业化基地奠基

日期:2019-08-25 10:40
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摘要: 本报北京电 (记者杨建光 通讯员李敏)近日,中国南车集团大功率IGBT产业化基地奠基,标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。 该项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只。这将使中国南车成为国内唯壹掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业,填补了国内相关技术领域的空白。 IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术**的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等...

本报北京电 (记者杨建光 通讯员李敏)近日,中国南车集团大功率IGBT产业化基地奠基,标志着我国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。


        该项目设计年产8英寸芯片12万片、IGBT模块100万只。这将使中国南车成为国内唯壹掌握IGBT芯片设计—芯片制造—模块封装—系统应用完整产业链的企业,填补了国内相关技术领域的空白。


        IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术**的代表性产品,广泛应用于轨道交通、航空航天、船舶驱动、智能电网、电力电子、新能源汽车等战略性产业领域,是节能技术和低碳经济的主要支撑,被业界誉为功率变流装置的 “CPU”、绿色经济的 “核芯”,市场发展前景光明。


        目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商。为支持我国企业技术突围,IGBT成为国家产业政策重点支持和扶持的重大科技项目。


        大功率IGBT产业化基地建设项目,由中国南车株洲电力机车研究所具体实施,项目总投资14亿元,占地160亩,预计2013年正式投产。建成后,该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力,年产值超过20亿元,其产业规模和技术实力均超过国内已有水平,达到国际优越水平。

 

来源:人民铁道报

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